Rambus在DDR5方面的努力一直没有停歇。
继2022年8月推出串行检测集线器(SPD Hub)和温度传感器，为寄存器时钟驱动器(RCD)提供补充后，该公司日前又宣布推出全新6400MT/s DDR5 RCD，并向各大DDR5内存模块(RDIMM)制造商提供样品。
随着CPU核心数量和计算性能的持续增加，内存带宽和容量也必须成比例地扩展，这是DDR5推出的根本动力所在。而DDR5最亮眼的部分，就是速度比已经“超级快”的DDR4还要快。与DDR4内存较高3.2Gbps的传输速度相比，全新DDR5内存的较高传输速率可达8.4Gbps。此外，DDR5也改善了双列直插式内存模块(DIMM)的工作电压，将供电电压从DDR4的1.2V降至1.1V，进一步提升了内存的能效表现。
Rambus内存互连芯片业务部门产品营销副总裁John Eble对《电子工程专辑》表示，高速发展的服务器市场需要DDR5内存具备更大的容量、更高的带宽，这是显而易见的。同时，还要保证在64字节高速缓存行中拥有相同的内存读取粒度，相同或更好的可靠性、可用性和可维护性功能(单错校正/双错检测/chipkill)，以及正确的冷却功率范围与启动时间。
了解DDR4/DDR5的朋友应该比较清楚，RCD是关键的控制面板芯片，它将命令、地址信号和时钟分配给DIMM上的DRAM设备。如果扩大RCD带宽，不但面临从CPU到RCD，再从RCD到DRAM的两处接口信号完整性挑战，还要兼顾功率和成本。
而DDR5 DIMM采用的是彼此独立的40位宽双通道设计(32个数据位，8个纠错码位)，每个通道的突发长度从8字节(BL8)翻倍到16字节(BL16)。相比之下，DDR4 DIMM通常是单通道的，采用8位子通道传输数据，在两侧配备了ECC，一共具备72位宽数据通道(64位数据，8个纠错码位)。所以尽管数据位仍然是64位，但DDR5并发能力的提高使得内存访问效率得到了提升，而且两个通道共用寄存时钟驱动器，每侧可提供四个输出时钟，能够优化信号完整性。
因此，在从DDR4向DDR5演进的过程中，为了更好的配合DDR5中新增的功能，RCD也在接口方面进行了调整，即从DDR4中的33位SDR，上升到DDR5中采用10位DDR双通道方案，此举将大大有利于DDR5内存接口芯片确保从主机内存控制器发送到RDIMM的命令/地址和时钟信号具有出色的信号完整性，同时也可以进一步降低DRAM的相关工作负载，为DIMM整体的电力输送，系统管理和遥测技术提供支撑。
数据显示，相比名列前茅代4800MT/s解决方案，Rambus第三代6400MT/s DDR5 RCD的数据传输速率和带宽提高了33%，使数据中心服务器的主内存性能达到了一个新的水平。
IDC预测称，服务器DDR5的拐点有望在2024年上半年出现。“这次发布的Gen3产品，包括Gen1 4800MT/s RCD、Gen2 5600MT/s RCD产品，一起构成了Rambus更加完整的芯片系列组合。”John Eble预计，使用DDR5 RCD第三代的系统将在2024年开始出货，并在2025年实现量产。
他同时指出，有关数据中心存储方案，业界还存在另外一种看法，即“将会同时出现不同的内存方案，并且进一步与DDR5主内存方案形成混合式的多存储方案。”所以，在未来数据中心的发展过程中，对容量的需求有可能会下降，但对带宽的需求会快速上升，包括HBM/CXL这样的技术会在未来得到更广泛的应用。
“尤其是在面对ChatGPT这样的人工智能应用时，更需要一种多管齐下的解决方案。” Rambus大中华区总经理苏雷说，ChatGPT需要海量的数据进行深度的机器学习，完成一个训练的模型和推理，所以它十分依赖以矩阵类和卷积类计算为代表的高算力，要求训练/推理AI芯片，或者加速模块具备强悍的内存带宽配置。对存储厂商来说，这不仅需要以低延迟和高可靠性继续扩大DDR5内存接口芯片的容量和带宽，也需要CXL加以配合。
在谈及如何看待2023年内存市场发展趋势话题时，John Eble回应称，首先，内存本身就是一个不断波动和成长的市场，将时间轴拉长，就会发现过去那些曾经经历过的低谷，后续也都成功的得以恢复和增长。所以，综合来看，内存市场会在2023年下半年呈现回暖的态势。
其次，服务器市场也有类似情况，短期看会存在一些弱势和波动，但鉴于云计算、HPC、AI机器学习对更大的内存、容量和带宽有着的巨大需求，所以长期来看，服务器市场依旧是非常强劲和稳健的，产业链上的相关环节都将因此受益。
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