电子工程专辑讯 日本经济产业省在5月23日正式出台了《外汇及对外贸易法》的修正版，对6大类23种尖端半导体制造设备实施出口管制措施。经过两个月的公告期之后，预计于7月23日正式施行。根据新规，除了向友好国等42个国家和地区出口，相关半导体生产设备出口至“非白名单”国家时，需申请并获得官方发布的出口许可。中国、俄罗斯等国家均属于受限制造的出口目标的地方。
对于日本政府正式出台半导体制造设备出口管制措施，商务部表示，“我们注意到，日本政府正式出台针对23种半导体制造设备的出口管制措施，这是对出口管制措施的滥用，是对自由贸易和国际经贸规则的严重背离，中方对此坚决反对。
在日方措施公开征求意见期间，中国产业界纷纷向日本政府提交评论意见，多家行业协会公开发表声明反对日方举措，一些日本行业团体和企业也以各种方式表达了对未来不确定性的担忧。但令人遗憾的是，日方公布的措施未回应业界合理诉求，将严重损害中日两国企业利益，严重损害中日经贸合作关系，破坏全球半导体产业格局，冲击产业链供应链安全和稳定。
日方应从维护国际经贸规则及中日经贸合作出发，立即纠正错误做法，避免有关举措阻碍两国半导体行业正常合作和发展，切实维护全球半导体产业链供应链稳定。中方将保留采取措施的权利，坚决维护自身合法权益。“
日本政府公布的《外汇及对外贸易法》，加强了对6大类23种高性能半导体制造设备的出口管制，其中包括：
（一）薄膜（仅限于专为使用极紫外线制造集电线路的设备设计的薄膜）制造设备；
（二）使用于晶圆加工的步进复原法或步进扫描型光刻设备，其中光源的波长为193纳米或更大，以纳米表示的光源波长乘以0.25并除以数值孔径的数值为小于等于45；
（三）用于涂装、沉积、加热或显示器防盗剂的设备，用于使用极紫外的集结电路制造设备；
（四）设计用于干法腐蚀的设备，属于以下任何一种情况：
1.为各向同性干法刻蚀而设计或改造性的设置，其中硅锷与硅的刻蚀选择性能之比为100倍以上。
2.为各向异性干法腐蚀而设计或改装的设备，符合以下所有条款：
(1) 具有一个或多个高频脉搏输出电源的电源；
(2) 具有一个或多个高速空气切换阀和切换时间小于300秒；
(3) 具备静电卡盘（仅限于具备20个或更多可单独控制温度的区域的静电卡盘）；
（五）设计用于湿法刻蚀的设备，其中硅锷与硅的刻蚀选择性能之比为100倍以上；
（六）一种用于各向异性腐蚀刻度的安装，其中腐蚀刻度与宽值比超过介绍材料30倍，宽尺寸小于100纳米。 ）
1. 具有一个或多个高频脉搏输出电源的电源；
2. 具有一个或多个高速空气切换阀和切换时间小于300秒的具有一个或多个高速空气切换阀；
（七）属于以下任何一种的薄膜沉积设备：
1.电镀沉积镀膜设备；
2. 自下而上沉积镀金或化学气相沉积设备，并设计成最大尺寸为在填满过程中填满的金属空隙或接缝为3纳米或更小；
3. 一种用于在单间室内通过多种工艺沉积金属性接触层的装置，并结合以下所有条款：
(1) 在晶片的基板温度保持在100摄氏度以上但低于500摄氏度的同时，使用有机金属化合物沉积合金层；
(2) 使用气压（含有气压与气压或气压的混合物质）等离子体的工艺；
4. 一种半导体制造设备，其设计通过在多个腹部或工位中通过多个步骤造型制作薄膜，并在多个过程中保持0.01帕斯卡或更小的真实空气状态或恶性环境（以下称为“指定的半导体制造设备”）。并通过以下所有过程序形式形成金属接触层的：
(1) 在将晶圆底温度保持在100度至500度以下的同时，使用空气（包括空气和空气或氢的混合物质）等离体进入表面处理；
(2) 在将晶圆基板温度保持在40度至500度拍摄间的同时，使用氧气或氧气等离体进入表面处理；
(3) 在将晶圆基板温度保持在高于100摄氏度和低于500摄氏度的同时，形成镀层的工艺；
5. 在指定的半导体制造设备中，通过以下所有工艺设计为成型金属接触层的设备（不包括属于（2）的设备）：
(1) 使用远程程序等离子源和离子过滤器进行表层处理的工艺；
(2) 使用有机械金属化合物选择性能地在铜上沉积合金层的工艺；
6.符合下列所有项的功数金属（指控制晶体管氟电压的材料）的原子层沉积设备：
（1）在在或以上的的，具有的金属源或或多种为为铝前体铝前体设计的金属源金属源；；具有并设计设计具有具有设计设计设计设计设计设计设计设计设计设计在在
(2) 为形成功数金属薄膜和设计的设备，用于沉积碳化钛铝和功数大于4.0电子伏特；
7. 在特定半导体制造设备中，通过下列列举的全部工艺使金属接触层成膜而设计的设备——将晶圆底温度维保持在20度以上和500度以下的同时，使用有机金属化合物形氪化钛或碳化钛层的工艺；将晶圆底温度维持在500摄氏度以下的同时，在大于0.1333帕斯卡而小于13.33帕斯卡的压力力中下流形形成镀层的工艺；将晶圆倒底温度维保持在20度以上和500度以下的同时，在大于133.3帕斯卡和小于13.33千帕斯卡的压力下使用有机械金属化合物体形状镶嵌层的工艺；
8. 在特定半导体制造设备中，通过以下列举的全部工艺形状形成铜配线的设备——将晶圆温度以温度维持在20上及500以下的同时，在大于133.3帕斯卡小于13.33千帕斯卡的压力下使用有机械金属化合的物体形状镶嵌或镶嵌层的工艺；在维持晶圆底部温度低于500度的同时，在大于0.1333帕斯卡而小于13.33帕斯卡的压力下使用物理相沉积法形成铜层；
9. 为使用有机械金属化合物选性地形形成阻挡层而设计的原子层沉积设备；
10. 在维持晶圆底温度小于500度的同时，设计为在绝缘层与绝缘层的间隔（深度相对于广度的比值超过5倍且宜广度小于40纳米）中充铅或铅以不生产空间的底层沉积设备；
（八）设计用于在0.01帕斯卡或较低的真实空气状态下或在自然环境中沉降金属层的安装，符合以下所有情况：
1.通过化学空气相沉积或周期性沉积形成氧化锌层，同时保持晶圆基板温度在20度至500度摄影间；
2. 在133.3帕斯卡和53.33千帕之间的压力环境中，通过化学气相沉积或周期性沉积形成金层，同时保持晶圆基板温度在20度至500摄氏度之间；
（九）设计用于在0.01帕斯卡或更低的真实空气状态下或在自然环境中沉积金属层的设置，属于以下任何一种：
1. 不使用阻隔膜选择性生成长铅的；
2. 不使用阻隔膜选择性生长锤的；
（十）设计用于使用有机械金属化合物沉积镶嵌层的设备，同时将晶圆基板温度保持在20度至500摄氏度之间（不包）例如与 Re（8）对应的温度）
（十一）符合以下任一项的空间原子层沉积设备（仅限于带旋转轴的晶圆支撑台）：
1. 通过等离子体形形成原始子层；
2. 附带等离子原；
3.在等离子照片区域设置有等离子幕帘或限制制等离子的设备；
（十二）在高于400度和低于650度的温度下形成薄膜的安装或通过促进与在不同于安装晶圆的空间中生产的自由基的化学反应应用而形成薄膜的设备，并并设计为符合以下所有的形状包含有透明和碳薄膜的设备：
1.介电常数小于5.3；
2. 水平均开孔尺寸小于70纳米，深度比该尺寸的比例超过5倍的图表；
3. 图表间距离小于100纳米的结构；
（十三）为用于喷涂的多层反射膜通过离子束蒸镀或物理空气沉积法形成膜而设计的设备（仅限于为“EUV光刻”设备”专门设计的设备）；
（十四）为硅（包括碳棒杂）或硅棒（包括碳棒杂）的延长寿命和设计的设备，并具有以下所有特性：
1.拥有多个肚子并且在多个工作间能够维持在0.01帕斯卡以下的真实空气状态或水分压小于0.01帕斯卡的性环境；
2. 配备一个或多个设计用于清洁晶圆表面的会议室；
3. 外延生使用温度低于685度；
（十五）为厚度大于100纳米和应力小于450兆帕斯卡的碳纳米管的等离子体沉积和设计的设备；
（十六）设计为通过利 用等离子体的原子层沉积法或化学气相沉积法沉积镀锌薄膜的设备（克里子数小于每立方公米1019个）；
（十七）金属配线的间隔（仅限于广度小于25纳米和深度大于50纳米的间隔），以不产生空气间隔的方式使用等离体成膜相对介电常数小于3.3的低介电层的设备；
（十八）在0.01帕斯卡以下的真实空气状态下运行且属于以下任何一项的退火设备：
1. 通过进入行铜回流，最大程度地减少或消除铜配线中的空气障碍或接缝；
2. 可以通过回流镶嵌或镶嵌金属来最大程度地减少或消除空气障碍或接缝；
（十九）一种设计用于去除结合物残留物和氧化铜膜并能够在0.01帕斯卡或更小的真空中形成铜膜的设备；
（二十）一种器具有多个腹部或工作间的设备，该设备是设计为通过干炽工艺进行去除表面氧化物质的预处理，或者设计者设计为通过干燥工艺去除表面的污染物；
（二十一）具备在晶片表面更换后进行干燥作业的单片式湿式清洁设备；
（二十二）设计用于检查“EUV光刻设备”的涂层材料或涂层图表的设备；
（二十三）一种防尘薄膜组件，特别设计用于“EUV光刻设备”。
被日本政府列入出口管制措施的23个半导体制造设备品类包括了3项清洗设备、11项薄膜沉积设备、1项热处理设备、4项光刻设备、3项刻蚀设备、1项测试设备。涉及极紫外（EUV）相关产品的制造设备、3D堆叠存储元件的蚀刻设备，以及制造10nm-14nm甚至更小的先进逻辑半导体所需的设备。
半导体制造设备分为前道制造设备和后道封测设备，美国、日本、荷兰这三个国家占据了整个制造设备市场的主要份额。前道制造设备在整个制造设备市场的占比比重高达80%。前道制造设备主要包括光刻设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备（包括PECVD、LPCVD、ALD等）、离子注入设备、清洗设备、化学机械抛光（CMP）设备、过程控制设备以及扩散设备，后道封测设备主要包括分选机、测试机、划片机、贴片机等。
国内获取半导体制造设备的国家主要来自日本，根据彭博社数据显示，日本向中国出口半导体制造设备的份额占比39%，是排名第二的新加坡（17%）的2倍以上。
日本常年保持对华贸易逆差。根据统计，2021年，中国与日本的货物进出口贸易总额为24020亿元。其中，中国自日本进口货物总额为13298亿元，中国出口日本的货物总额为10722亿元；中国对日本的贸易逆差为2576亿元。从产品类别看，日本对中国出口的主要是机电产品、化工产品和交通运输设备等产品，技术含量、质量等级和附加值较高，是我国企业所需技术设备、精细原料的重要来源。
日本政府在3月31日公布了修改《外汇及对外贸易法》计划扩大半导向体制造设备出口管理范围。4月29日，日本政府公征半导体出口管制新规公共评论的期间截停。
在这期间，中国贸易促进会、中国半导体行业协会和中国机电商会在里面的利害关系提供了评论意见。国家商务部已经就日本半导体设备出口管制新规相关事项，在世贸组织提出申诉请求。其一是违背了世界贸易组织最惠国待遇原则，根据该新规，中国和俄罗斯等国家均属于受限制造的出口目标地方。其二是违反普遍取消消费数量限制的义务，日本出口管制新规设定前的出口许可，设定了以数量限制为特征的出口限制措施。三是不符合国家安全全部取消例外的规定，日本新规并没有证明其国家安全或其根据本安全利益受到挑战，其单方面的出口管控措施难以从国家安全角度获得支持。
日本政府现已正式出台修订版的《外汇及对外贸易法》，在该新规正式实现前国内企业需要做好供应链调整准备。一旦新规生效，企业想要获得日本相关的半导体制造设备的程序将变得更加复杂，可能需要配日本出口商申请官方出口许可。同时，在国家商务部积极争取下，未来两年内很可能会有有效的世贸决策，要请求日方调整乃至取消移除。
本文参考自LEXOLOGY、中伦律师事务所、中伦视界、彭博社等报道
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