1月19日，希荻微宣布其子公司Halo Microelectronics International Corporation（以下简称“Halo US”）拟与Navitas Semiconductor Corporation（以下简称“NVTS”或“纳微半导体”）及其子公司Navitas Semiconductor Limited（以下简称“Navitas”）签署《股份购买协议》和《知识产权许可协议》（以下简称“本次交易”）。
交易对方纳微半导体是专注于氮化镓和碳化硅的第三代半导体企业，于2021年10月在美国纳斯达克交易市场上市，Navitas是其全资子公司。纳微半导体方面也发布公告称，公司以2000万美元的价格从希荻微二级子公司HaloUS手中收购其硅控IC合资公司的剩余少数股权。
根据本次交易安排，HaloUS将其持有合资公司全部股份5,100,000股（对应期权池完全稀释后合资公司的股份比例为30%，以下简称“标的股份”）全部转让给纳微半导体；并将其拥有及经HaloUS授权其使用的硅控制器相关技术许可给纳微半导体使用，纳微半导体在特定领域享有排他性使用权；纳微半导体将向HaloUS发行2000万美元等值的普通股作为获得标的股份和标的技术排他性使用权的支付对价，每股价格为截至交割日前30个交易日的加权平均收盘价。
本次出售标的股份的标的方合资公司A主要从事消费类AC/DC电源管理芯片的研发和销售，产品应用场景为消费类电子产品所适用的充电器和适配器等交直流转换器产品；本次交易的标的技术为高性能AC/DC转换技术，包括希荻微和HaloUS名下的相关专利、专利申请权、专有技术及相关技术文件等。其中专利及专利申请权具体如下：
2021年，希荻微联合成立了这家合资公司，开发专用硅控制器，该控制器经过优化，可与Navitas GaN IC结合使用，为广泛的应用设定效率、密度、成本和集成的新标准。
据介绍，合资公司名列前茅个系列产品已经开发出来并投入生产，解决了企业、可再生能源、电动汽车和其他相关市场的移动、消费、家电和辅助电源的交流-直流电源应用。这种硅控制器和GaN IC要么作为‘芯片组’结合在一起，要么联合封装在一起，面向20W到500W的应用，已经被数十家打算在今年晚些时候推出其下一代产品的客户所采用。
通过本次交易，希荻微将更好地聚焦公司重点目标市场及相关应用场景的高性能模拟产品；同时，通过取得纳微半导体的股份，公司可共享纳微半导体在第三代半导体领域深耕发展的红利，实现1+1>2的共赢。
由于纳微半导体已经是大股东，合资公司的财务结果会反映在Navitas的财务报表中，该交易预计将于2月完成。到2026年，这种额外的硅控制器能力的潜在市场潜力估计将超过每年1B美元。
“这是Navitas的又一次战略收购，因为我们将关键的硅控制器能力与我们名列前茅的GaN和SiC技术相结合，”Navitas首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示。“所有电力系统都需要硅控制器，这在很大程度上决定了这些系统的架构。通过将硅控制器与GaN和SiC相结合，Navitas具有独特的优势，可以影响客户的架构决策，从而在下一代电力电子产品中使用GaN或SiC时最大限度地发挥系统优势和Navitas的价值。”
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