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CES展出2月之后,安森美EliteSiC碳化硅系列迎来与宝马等汽车厂商的合作

3 月 7日,安森美宣布与宝马集团(BMW)签署长期供货协议(LTSA),将安森美的EliteSiC技术用于这家德国高端汽车制造商的400 V直流母线电动动力传动系统。安森美最新的EliteSiC 750 V M3芯片被集成到一个全桥功率模块中,可提供几百千瓦的功率。

两家公司的战略合作针对电动动力传动系统的开发和整合,使安森美能为特定应用提供差异化的芯片方案,包括优化尺寸和布局以及高性能和可靠性。优化的电气和机械特性实现高效率和更低的整体损耗,同时提供极高的系统级性能。

onsemi 的 EliteSiC 碳化硅系列解决方案

1月3日,onsemi推出了 “EliteSiC “作为其碳化硅(SiC)系列,并在拉斯维加斯举行的消费电子展(CES)上展示了该系列的三个新成员–1700V EliteSiC MOSFET和两个1700V雪崩级EliteSiC肖特基二极管。这些新器件为能源基础设施和工业驱动应用提供了可靠、高效的性能,突出了onsemi作为工业碳化硅解决方案名列前茅的地位。

通过1700V EliteSiC MOSFET(NTH4L028N170M1),onsemi提供了高功率工业应用所需的更高击穿电压(BV)SiC解决方案。两个1700V雪崩等级的EliteSiC肖特基二极管(NDSH25170A、NDSH10170A)使设计人员能够在高温下实现稳定的高压运行,同时提供SiC所带来的高效率。

onsemi执行副总裁兼电源解决方案集团总经理Simon Keeton表示:”通过提供优异的效率和降低功率损耗,新的1700V EliteSiC器件加强了我们EliteSiC系列产品在性能和质量方面的高标准,同时也进一步扩大了onsemi EliteSiC的深度和广度。”加上我们的端到端SiC制造能力,onsemi提供的技术和供应保证可以满足工业能源基础设施和工业驱动供应商的需求。”

可再生能源应用一直在向更高的电压发展,太阳能系统从1100V到1500V直流母线。为了支持这种变化,客户需要具有更高BV值的MOSFET。新的1700V EliteSiC MOSFET的最大Vgs范围为-15V/25V,使其适用于栅极电压增加到-10V的快速开关应用,提供更高的系统可靠性。

在1200V、40A的测试条件下,1700V EliteSiC MOSFET实现了200nC的栅极电荷(Qg),与接近300nC的同等竞争器件相比,这是市场名列前茅的。低Qg对于在快速开关、高功率可再生能源应用中实现高效率至关重要。

在1700V的额定电压下,EliteSiC肖特基二极管器件在最大反向电压(VRRM)和二极管的重复反向电压峰值之间提供了更好的余量。新器件还具有出色的反向漏电性能,在25°C时最大反向电流(IR)仅为40微安,在175°C时为100微安–明显优于通常在25°C时额定为100微安的竞争器件。

与宝马的合作

安森美高级副总裁兼电源方案部先进电源分部总经理Asif Jakwani说:“续航能力是人们购买电动汽车的首要考虑因素,安森美的系统方案用于宝马集团所有电动汽车中,实现性能的优化,是个关键的竞争优势。此外,我们还持续提升稳健的、垂直整合的SiC供应链的所有生产步骤,以能支持宝马集团高端电动汽车的快速增长需求。”

凭借数十年来为汽车应用制造功率器件的专业知识,安森美开发了差异化的智能电源技术,可实现名列前茅业界的电动动力传动系统方案。这包括卓越的封装技术,以及从平面到沟槽电池结构的演进路径,在各种电压下为电动汽车应用提供所需的较高可靠性。

onsemi 和大众集团通过战略协议加强在下一代电动汽车碳化硅技术方面的战略合作

1月25日,安森美宣布与德国大众汽车公司(VW)签署战略协议,为其提供模块和半导体,为大众汽车的下一代平台系列提供完整的电动汽车(EV)牵引逆变器解决方案。这些半导体是整体系统优化的一部分,提供的解决方案将支持大众车型的前部和后部牵引变频器。

作为协议的一部分,onsemi将首先交付其EliteSiC 1200 V牵引逆变器功率模块。EliteSiC电源模块是针脚兼容的,可以轻松地将解决方案扩展到不同的功率水平和电机类型。两家公司的团队已经合作了一年多,对下一代平台的功率模块进行了优化,正在开发和评估预生产样品。

“大众汽车公司运营和战略半导体工作组COMPASS负责人Karsten Schnake表示:”Onsemi的牵引逆变器模块性能卓越,质量上乘,加上我们共同努力打造优异系统解决方案,使我们能够提供客户期望的大众汽车集团车辆的卓越驾驶体验和质量。”onsemi广泛的智能电源和传感解决方案组合使我们能够在我们的电动汽车中提供非常先进的技术和功能,包括牵引逆变器和其他功能。除了这一里程碑之外,onsemi在美国、亚洲和欧洲的均衡生产设施布局,包括在捷克共和国的工厂,是支持我们战略市场的所有高压解决方案和其他方面的完美匹配。”

onsemi拥有19个晶圆制造和封装生产基地,为大众汽车提供500多种不同的器件–包括IGBT、MOSFET、图像传感器和电源管理集成电路(PMIC)。除了多样化的产品组合外,onsemi还拥有垂直碳化硅(SiC)生产链,包括批量球茎生长、晶圆、衬底、外延、器件制造、优异的集成模块和分立封装解决方案,完美支持安全的供应链。

“onsemi执行副总裁兼电源解决方案集团总经理Simon Keeton表示:”我们广泛的制造足迹–包括有弹性的端到端SiC供应链–使onsemi有能力提供OEM需要的供应保证。”我们在全球范围内的投资,特别是在碳化硅方面的投资,使我们能够进一步支持大众汽车公司迅速扩大的电动汽车生产规模。”

用于电动汽车的逆变器解决方案由onsemi的EliteSiC 1200 V 3x半桥模块组成,该系统解决方案支持涵盖广泛功率范围的两轴逆变器。

 

有关碳化硅、氮化镓等第三代半导体技术可以前往“IIC Shanghai – 2023国际集成电路展览会暨研讨会”,其中的第25届高效电源管理及宽禁带半导体技术应用论坛将讨论当前最热门的汽车核心应用技术,该研讨会将于3.29-3.30在上海国际会议中心举行,报名请点这里,或扫码下面二维码:

文章来自:https://www.eet-china.com/

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